Samsung, SEMICON Taiwan 2026’da iddialı hedefler ve beklentiler ortaya koyduğu güncellenmiş bellek yol haritasını sundu. HBM5 ve yakında çıkacak olan zHBM mimarisi ana odak noktaları oldu.
Samsung’a göre HBM5, HBM4E’ye kıyasla iki kat performans ve watt başına %20 daha yüksek performansın yanı sıra termal dirençte %20’lik bir düşüş hedefliyor. Değişiklik olarak taban yongası, HBM4 ve HBM4E’de kullanılan 4 nm üretim sürecinden Samsung’un kendi 2 nm üretim teknolojisine geçiyor ve bellek yığını için 12, 16 ve 20 katmanlı seçenekler sunuluyor. Seri üretimin 2028 civarında başlaması bekleniyor. Kısa süre önce Samsung, Hot Chips 2026 konferansının Advance Program etkinliğinde pin başına 16 Gbps hıza sahip HBM4E belleklerin sevkiyatına hazırlandığını doğruladı. Şirket şu anda pin başına 11,7 Gbps hızında çalışan HBM4 sevkiyatı yapıyor.
zHBM ise daha radikal bir yaklaşım benimsiyor. Geleneksel HBM’in yaptığı gibi belleği hızlandırıcının yanına yerleştirmek yerine belleği doğrudan işlemcinin üzerine yığıyor. Bu yapı veri yolunu kısaltarak daha yüksek bant genişliği ve verimlilik sunuyor. zHBM ile Samsung, HBM4E’ye kıyasla sekiz kat ham performans ve watt başına üç kat performans hedefliyor; termal direnci ise %75-90 oranında düşürmeyi planlıyor. FMS 2026’da endüstrinin ilk zHBM konsept modellerini sergileyen Samsung’un, tamamen farklı olan bu mimariyi 2029’dan sonra piyasaya sürmesi bekleniyor. HBM mimarisini yeniden kurgulamak, endüstrinin genel yönelimi gibi görünüyor. NVIDIA da kısa süre önce bellek kontrolcüsünü işlem yongasında tutmak yerine HBM taban yongasına taşıyan kendi özel belleği NVHBM’i duyurdu.
NAND tarafında ise Samsung, 2028’de ilk örneklemeleri hedeflenen zNAND-O üzerinde çalışıyor. Şirket bununla birlikte DRAM’in 10 katı bit yoğunluğu ve 7 katı okuma bant genişliği hedeflerken, geleneksel NAND’ın güç verimliliğini de korumayı amaçlıyor. Samsung’un sadece rakibi SK hynix’i izlemekle yetinmemesi gerektiği de belirtilmeye değer çünkü Çinli dev YMTC, 2027 sonuna kadar hem Samsung’u hem de SK hynix’i geride bırakma yönünde iddialı bir hedef açıkladı.
Samsung ayrıca fuardan önce düzenlenen Memory Executive Summit’te “C.U.B.E” çerçevesinin detaylarını paylaştı: Kapasite (Capacity), Kullanım (Utilization), Bant Genişliği (Bandwidth) ve Verimlilik (Efficiency) olmak üzere dört öncelik. Strateji, PCB alanını artırmadan kapasiteyi büyütmek için dikey bellek genişlemesine, gecikmeyi azaltacak optimize edilmiş 3D mimariye, yatay veri yollarının yerini alacak dikey yüksek hızlı kanallara ve bit düzeyinde güç verimliliği ile termal yönetime odaklanıyor.
Kaynak: https://www.techpowerup.com/352233/samsung-new-memory-roadmap-hbm5-aims-for-2x-performance-zhbm-for-8x
