Institute of Semiconductor Engineers (Yarı İletken Mühendisleri Enstitüsü), yayımladığı “Yarı İletken Teknolojisi Yol Haritası 2026” raporuyla önümüzdeki 15 yıla yönelik silikon teknolojisi öngörülerini paylaştı. Samsung, dünyanın ilk 2nm Gate-All-Around (GAA) yonga seti olan Exynos 2600 modelini henüz duyurmuşken rapor, 2040 yılına kadar yarı iletken devrelerinin 0,2nm seviyesine ulaşarak angstrom (Å) çağına girebileceğini öngörüyor.
Günümüzden yaklaşık on beş yıl sonrasına uzanan süreçte, 1nm altı üretim ölçeklerine inebilmek için aşılması gereken çok sayıda teknik engel bulunuyor.
Ek Öngörüler: 321’den 2.000 Katmana Çıkan NAND Flash ve Saniyede Onlarca Trilyon İşlem Yapan YZ Yarı İletkenleri
ETNews’in aktardığı raporda, yol haritasının amacının “uzun vadeli yarı iletken teknolojisini ve endüstri rekabet gücünü güçlendirmeye, akademik araştırmaları harekete geçirmeye ve insan kaynağı geliştirme stratejileri oluşturmaya katkıda bulunmak” olduğu belirtiliyor.
Çalışma, yarı iletken cihazlar ve üretim süreçleri, YZ yarı iletkenleri, optik bağlantı, kablosuz sensörler, kablolu bağlantı, PIM, paketleme ve kuantum hesaplama dahil dokuz ana teknoloji alanını kapsıyor.
Mevcut ileri litografi teknolojisi Samsung’un sunduğu 2nm Gate-All-Around (GAA) mimarisine dayanıyor. Şirket, ikinci nesil 2nm GAA düğümünün temel tasarımını tamamlarken, üçüncü nesil SF2P+ yapısını iki yıl içinde devreye almayı hedefliyor.
Rapora göre 2040 yılına gelindiğinde 0,2nm üretim süreci, CFET (Tamamlayıcı Alan Etkili Transistör) mimarilerini ve monolitik 3D tasarımları temel alıyor.
Yeni nesil üretim süreçlerinde liderliğini sürdürmeyi amaçlayan Samsung, 2029 seri üretim hedefiyle 1nm çip geliştirme çalışmalarına odaklanan özel bir ekip kurdu. Geliştirmeler yalnızca mobil işlemcilerle sınırlı kalmayarak, DRAM tarafında da bellek devrelerinin 11nm’den 6nm’ye düşmesini kapsıyor. HBM teknolojisinde mevcut 12 katmanlı ve 2TB/s bant genişliğine sahip yapıların, 30 katmanlı ve 128TB/s seviyesine ulaşması bekleniyor.
NAND Flash tarafında, SK hynix tarafından geliştirilen 321 katmanlı QLC teknolojisinin ardından, ilerleyen yıllarda 2.000 katmanlı QLC NAND üretiminin mümkün hale geleceği öngörülüyor. YZ işlemcileri cephesinde ise günümüzde yaklaşık 10 TOPS seviyesinde olan işlem kapasitesinin, on beş yıl içinde öğrenme süreçleri için 1.000 TOPS seviyesine, çıkarım süreçleri için ise 100 TOPS seviyesine ulaşacağı tahmin ediliyor.
Kaynak: https://wccftech.com/the-korean-institute-of-semiconductor-engineers-predict-0-2nm-chip-development-in-15-years/
